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型号 SPB10N10L G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
SPB10N10L G PDF
代理商 SPB10N10L G
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1,000
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 154 毫欧 @ 8.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 21µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 444pF @ 25V
功率 - 最大 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 P-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000102169
SPB10N10L G-ND
SPB10N10LGINTR
SPB10N10LGXT
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