型号 | SPB10N10L G |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263 |
SPB10N10L G PDF | |
代理商 | SPB10N10L G |
产品目录绘图 | Mosfets TO-263 |
标准包装 | 1,000 |
系列 | SIPMOS® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 154 毫欧 @ 8.1A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 21µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 444pF @ 25V |
功率 - 最大 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | P-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000102169 SPB10N10L G-ND SPB10N10LGINTR SPB10N10LGXT |